SiLM27512器件（jiàn）是（shì）单通道高速（sù）低边门极驱（qū）动器，可（kě）有效驱动MOSFET和（hé）IGBT等功率开关（guān）。SiLM27512采用一种能够（gòu）从（cóng）内部极大的（de）降低直通电流的设计（jì），将高（gāo）峰值的源电流和（hé）灌电流脉冲提供给（gěi）电容负（fù）载（zǎi），以实现（xiàn）轨到（dào）轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电情况下，能够提供4A的峰值源（yuán）电流和5A的峰值灌电流。
低（dī）成本（běn）的门极驱动方案可用于（yú）替代 NPN和 PNP 分离器（qì）件方案
4A 的峰（fēng）值源电流（liú）和5A的峰值灌电流能力
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快速的上升和下降（jiàng）时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁功（gōng）能
兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电压（yā）阈值
双输入设计(可（kě）选择反相或（huò）非反相（xiàng）驱（qū）动配置)
输（shū）入浮（fú）空时输出保持为低（dī）
工作（zuò）温度范围为（wéi） -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选项
400 080 9938
