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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠（qiàn）压保护低边门（mén）极驱动（dòng）器（qì）

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产（chǎn）品概述（shù）

产品特性（xìng）

安规（guī）认（rèn）证

典（diǎn）型（xíng）应用图

产（chǎn）品概（gài）述

SiLM27511H系列是单（dān）通（tōng）道高欠压保护低边门极驱动器，可有（yǒu）效驱（qū）动MOSFET和IGBT等功（gōng）率开关（guān）。SiLM27511H 采（cǎi）用一（yī）种（zhǒng）能够从内部极大的降（jiàng）低直通（tōng）电流的设计（jì），将（jiāng）高峰值的源电流和灌电流脉冲（chōng）提供给电容负载，以实（shí）现轨到（dào）轨的驱动能（néng）力（lì）和典型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供（gòng） 4A 的（de）峰值源电（diàn）流和 5A 的峰（fēng）值灌电流。SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成本的（de）门极驱（qū）动方（fāng）案可（kě）用（yòng）于替代 NPN和（hé） PNP 分离器件方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力

快速的传播延时（典型值为 18ns）

快速的上（shàng）升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电（diàn）源范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双（shuāng）输入设计(可（kě）选（xuǎn）择反相或（huò）非反相（xiàng）驱动（dòng）配置)

输入浮空（kōng）时输出保持为低

工作温度范（fàn）围（wéi）为 -40°C 到 140°C