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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥驱动

样片申请（qǐng）

SiLM2024 Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规（guī）认证

典型（xíng）应用图（tú）

产品概述

SiLM2024 是一款高压、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用（yòng）专有的高压集成电（diàn）路和（hé）锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可提供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容（róng），最低支持（chí）3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以减（jiǎn）小驱动器交叉导（dǎo）通。浮动通道可用于驱动高边配（pèi）置的N型沟（gōu）道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作电压可高（gāo）达200V。

产（chǎn）品特性

为（wéi）自（zì）举操作设（shè）计的浮（fú）动通道

完全运行时（shí）电压高达 200V

容（róng）许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入兼（jiān）容

驱动电流：290mA/600mA

典型的开（kāi）通/关断延时：680 ns/150 ns

死区（qū）时间：520 ns

防止交叉导通（tōng）逻辑

两通道间匹配传（chuán）输延迟