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SiLM2014A

200V低压驱（qū）动芯片

样片（piàn）申请

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产品特性

安（ān）规认证（zhèng）

典型（xíng）应用（yòng）图（tú）

产品概（gài）述

SiLM2014A 是（shì）一款高压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专有的（de）高（gāo）压集成（chéng）电路和（hé）锁存免疫的CMOS技术可提（tí）供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具（jù）有高脉冲电（diàn）流缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱（qū）动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产（chǎn）品特性

为自举操作设计的（de）浮动（dòng）通道

完全运（yùn）行时（shí）电压高达 200V

容（róng）许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼（jiān）容

驱动电流（liú）：1A/1.5A

防（fáng）止交叉导通逻辑

两（liǎng）通（tōng）道间匹配传输延迟

输出信号（hào）与输（shū）入（rù）信号同相

通过无铅认证