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    1. 样片(piàn)申(shēn)请 | 简体中文(wén)
      SLM21364
      600V 200/350mA高压三相半桥驱动芯(xīn)片(piàn)
      样片申请
      SLM21364 Datasheet
      产品(pǐn)概(gài)述(shù)
      产品特性
      安(ān)规(guī)认证
      典型应用图
      产品概述

      SLM21364是(shì)一款高压、高(gāo)速的(de)三相功率MOSFET和IGBT驱动(dòng)器。采用专有的高压集成电路和锁存免疫(yì)CMOS技术,提供可靠(kào)的单芯(xīn)片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或(huò)LSTTL输出兼容,最(zuì)低(dī)支持3.3V逻(luó)辑。通过检测外部电(diàn)流电阻上电流,过(guò)流保护功(gōng)能(néng)能够关断所有输出。使能引(yǐn)脚能同时(shí)控制6路(lù)输出开通或关断(duàn)。提供漏极开路的(de)故障信号指示过流或者欠压关闭发生。通过连(lián)接(jiē)到(dào)RCIN输入的(de)RC网(wǎng)络外(wài)部(bù)编程延时后,过流故障条(tiáo)件自(zì)动清除。输出驱动器具(jù)有(yǒu)高脉冲(chōng)电流缓冲级,以减小(xiǎo)驱动器(qì)交叉导通。延(yán)时匹配很方便应用于高频设备。浮动通道(dào)可用于驱动(dòng)高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压(yā)可高达600V。

      产品特性

      为自举供(gòng)电设计的(de)浮动通道

      全电压范(fàn)围运行达600V

      允许瞬态(tài)负电压(yā),不受dV/dt影响

      驱动电源范围从10V到(dào)20V

      欠(qiàn)压闭锁

      高低边输入输出(chū)同相

      3.3V,5V逻辑(jí)兼容

      低di/dt门极驱动抗干扰能力强

      双通(tōng)道的匹(pǐ)配延时

      外部可编程(chéng)延(yán)时的自动故障清理

      典型死(sǐ)区(qū)时间:290ns

      典型(xíng)开(kāi)通/关断延时(shí):350ns/400ns

      典型(xíng)驱(qū)动电流:200mA/350mA

      SOP28W封装(zhuāng)

      安规认(rèn)证(zhèng)
      典型应用图

      21364.png

      产品参数表

      展开(kāi)过(guò)滤器
      Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
      SLM21364CF-DGIGBT/ MOSFET0.2/0.3560010-20350/400100/40290100-40-125SOP28WReel/1000
      应用案例(lì)

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