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SLM2009

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申（shēn）请

SLM2009 Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认证

典型应用图

产品概述

SLM2009 是一款（kuǎn）高（gāo）压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用（yòng）专有的高压集成电路和（hé）锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输（shū）入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱动器具（jù）有高（gāo）脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通（tōng）道可用于（yú）驱动高边配（pèi）置的N型沟（gōu）道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自举操作设计的（de）浮动通道（dào）

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压（yā），不（bú）受（shòu） dV/dt 影（yǐng）响

驱动（dòng）电源范围从（cóng） 10V 到 18V

欠（qiàn）压闭锁（suǒ）

3.3V、5V 逻辑输（shū）入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹（pǐ）配传输延（yán）迟（chí）

输出信号与输入（rù）信（xìn）号同相

通过无铅认证（zhèng）