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SLM2005S

200V低压驱动芯片

样（yàng）片（piàn）申请

SLM2005S Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产（chǎn）品概述

SLM2005S 是一款高压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器。采用专有的高压（yā）集成电路和锁（suǒ）存免疫（yì）的CMOS技术可提供（gòng）可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平（píng）与（yǔ）标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有高脉（mò）冲电流缓冲级（jí），以（yǐ）减小驱动器（qì）交叉导通。浮动通道可用（yòng）于（yú）驱（qū）动高边配置的N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操（cāo）作设计的浮动通道（dào）

完全运行时电压高达 200V

容许瞬（shùn）间负电压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱动电源（yuán）范（fàn）围从 10V 到 20V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止（zhǐ）交叉（chā）导通逻辑

两通道间匹配传输延迟

输出信号与输（shū）入信号同相

通过无（wú）铅（qiān）认证