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SLM2005E

200V低压（yā）驱动（dòng）芯片

样片申请（qǐng）

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2005E 是一款（kuǎn）高压（yā）、高速（sù）的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专（zhuān）有的高压集（jí）成电路和锁存免疫的（de）CMOS技（jì）术（shù）可提供可靠的单芯片驱动方（fāng）案。逻辑（jí）输入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱动器具有高脉冲电流缓冲（chōng）级，以减小驱（qū）动器交叉导通。浮动通道可（kě）用于（yú）驱动（dòng）高边配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产（chǎn）品（pǐn）特性

为（wéi）自举操作设计的浮动（dòng）通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压（yā），不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压（yā）闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑（jí）输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配传输延迟

输出（chū）信号（hào）与输入信号同（tóng）相

通过无铅认证