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SLM2003E

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003E Datasheet

产（chǎn）品概述

产品（pǐn）特性

安规认证

典型应用图

产品概（gài）述

SLM2003E 是一款（kuǎn）高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器（qì）。采用专（zhuān）有的高压集成电路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯片驱动方案（àn）。逻辑输入（rù）电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输（shū）出兼（jiān）容，最（zuì）低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲（chōng）电流缓冲级，以（yǐ）减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的（de）N型（xíng）沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高（gāo）达200V。

产品（pǐn）特（tè）性

为自（zì）举操（cāo）作设计的浮动通（tōng）道

完全运（yùn）行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬（shùn）间（jiān）负电压，不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻（luó）辑输入兼容（róng）

驱（qū）动电（diàn）流：290 mA/600 mA

防止交叉导（dǎo）通逻（luó）辑（jí）

两（liǎng）通道间匹配传输（shū）延（yán）迟

输出信号（hào）与输入（rù）信号同相（xiàng）

通过无铅认证